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1200℃可傾斜式旋轉(zhuǎn)管式爐采用雙層風(fēng)冷結(jié)構(gòu)，爐膛采用高純度氧化鋁微晶纖維高溫真空吸附成型；搭配兩路混氣質(zhì)子流量控制系統(tǒng)。是專為高校、科研院所的實驗室及工礦企業(yè)在可控多種氣氛及真空狀態(tài)下對金屬、非金屬及其它化合物進(jìn)行燒結(jié)、熔化、分析而研制的設(shè)備。

CVD真空系統(tǒng) GYS-1700C+GYS-4F+真空泵+真空連接配件 以硅鉬棒為加熱元件，采用雙層殼體結(jié)構(gòu)和50段程序控溫，B型熱電偶，雙層爐殼間配有風(fēng)冷循環(huán)系統(tǒng)，最高溫度能達(dá)到1700°C，可在1600℃下連續(xù)工作，控溫精度±1C；該爐具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快節(jié)能等優(yōu)點，是高校、科研院所、工礦企業(yè)做新材料樣品的燒結(jié)或是退火（在真空或是惰性氣體保護(hù)狀態(tài)下)的合適產(chǎn)品。

CVD系統(tǒng)管式爐是一種重要的材料制備設(shè)備，廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所、工礦企業(yè)等實驗和小批量生產(chǎn)之中。它主要用于在固態(tài)基材上沉積一層薄膜，其組成部分包括高溫真空管式爐、氣路和真空系統(tǒng)。

PECVD系統(tǒng)爐，全稱等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積爐，是一種基于等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)的薄膜沉積設(shè)備。其工作原理主要是在低氣壓下，利用低溫等離子體在工藝腔體的陰極上產(chǎn)生輝光放電，使樣品升溫到預(yù)定的溫度。隨后通入適量的工藝氣體，這些氣體經(jīng)過一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)后，最終在樣品表面形成固態(tài)薄膜。

CVD系統(tǒng)（高真空）GYS-3Z+OYS-300F+(真空連接配件)1.包含一款通過CE認(rèn)證的高溫管式爐，2.包含一款GYS-3Z低成本的流量計控制系統(tǒng) 3.包含一款OYS-300F風(fēng)冷分子泵機(jī)組參數(shù)表。